全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器(IR)推出一系列新型的25伏特及30伏特N-通道溝道HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，他們針對同步降壓轉換器及電池保護增強了轉換效能，適用於消費者和網路方面的電腦運算應用。
全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器(IR)推出一系列新型的25伏特及30伏特N-通道溝道HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，他們針對同步降壓轉換器及電池保護增強了轉換效能，適用於消費者和網路方面的電腦運算應用。
這個新型金屬氧化物半導體場效電晶體系列通過IR得到肯定的矽技術，提供基準通態電阻 (RDS(on)) ，並且改進切換效能，新元件低傳導損耗提高了全負載效率及溫度效能，同時，他們即使在輕負載下，低切換損耗也有助達到高效率。
單個及雙N通道金屬氧化物半導體場效電晶體現在已開始供應，除了D-PAK、I-PAK和SO-8封裝之外，單個N-通道元件也為高量生產作出了最佳化，提供PQFN 5×6毫米和3×3毫米封裝，雙N通道元件則採用SO-8封裝，新元件符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)，更可以不含滷素。
國際整流器網址：www.irf.com