4G手機射頻前端(RF Front-end)將展現全新面貌。為符合LTE和802.11ac標準對訊號失真的嚴格規範，智慧型手機廠對射頻前端的線性度及抗雜訊表現要求日益提高，因而驅動射頻晶片商革新前端元件建模(Modeling)及電路設計技術，同時投入發展新的訊號隔離、開關(Switch)和電源管理機制，促進手機射頻前端全面進化。
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| 隨著無線通訊標準演進，手機射頻前端設計將日益複雜。
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立積電子董事長馬代駿表示，隨著無線通訊標準持續演進、聯網環境日益複雜，手機廠和網通設備業者對射頻前端元件的性能要求也與日俱增，尤其在開發最新的LTE及802.11ac裝置時，更極度注重內建射頻元件的誤差向量幅度(EVM)表現，同時還希望提高訊號傳輸距離、接收靈敏度及抗干擾能力，以減輕訊號失真問題並提高應用價值，在在加重射頻前端元件商研發負擔。
事實上，LTE、802.11ac訊號收發表現與射頻前端元件線性度息息相關，而EVM數值即是檢視功率放大器(PA)、低雜訊放大器(LNA)或整合型單晶微波積體電路(MMIC)等射頻前端元件效能的重要指標，偏差愈低代表線性度愈好。
立積電子總經理王是琦指出，以往802.11n無線區域網路(Wi-Fi)裝置內建的射頻前端元件僅須符合3%的EVM水準；然而，新一代802.11ac產品設計已要求達到1.8%以下EVM，甚至更前瞻的802.11ad還訂出1.2% EVM的嚴格規範，大幅墊高技術門檻。此外，LTE手機朝向多頻多模發展，並將加速引進載波聚合(Carrier Aggregation)和多重輸入多重輸出(MIMO)天線等新技術，手機製造商亦開始將線性度規格列為重要的元件採購評估項目。
因應無線通訊產品設計快速轉變，包括Skyworks、RFMD和立積電子皆已加緊翻新射頻晶片製程、建模、電路設計、濾波和隔離機制，以大幅強化線性度表現。王是琦更強調，立積將擴大投資矽鍺(SiGe)和互補式金屬氧化物半導體(CMOS)的低成本射頻元件製程，並厚實整合PA、LNA、射頻開關、濾波器和分頻器的MMIC產品陣容，以更優異的性價比爭取系統業者青睞。
另一方面，著眼於LTE手機必須在低功耗前提下，實現更高的訊號傳輸效能，通訊相關晶片商亦已掀起封包追蹤(Envelope Tracking)技術開發熱潮，其中，PA更扮演關鍵角色，且須與電源管理晶片密切配合，才能大幅改善手機發送LTE訊號的功耗，因此立積已著手進行相關技術研發。