飆速介面案例探索之旅(一)

2004-07-05
話說「XDR DRAM」這種新型記憶體,資料傳輸速度是疾速飆客的再現...
話說「XDR DRAM」這種新型記憶體,資料傳輸速度是疾速飆客的再現。本文即是針對這類元件所採用的高速介面,作深入探討,帶您一窺其內部的技術風華。電視遊樂器 PS2名聞遐邇,網路上也流傳著下一代PS3的外觀風貌。這款新一代電玩機種,內部即將採用的處理器,就是新力、東芝與IBM所合力開發的「Cell」處理器。無論是構造或申請的專利,大致皆已攤在陽光下。而「XDR DRAM」正是「Cell」處理器搭載機器可以接續的記憶體之中,列為最佳的繼承者之一圖1。  

XDR介面是Rambus規格的接班人  

本文所要進攻的要塞,即是「XDR DRAM」所採用的飆速介面-Yellowstone。「Yellowstone」僅是代碼,正式名稱為「XDR」,被視為Rambus規格的後繼接班人,而目前採用此種介面的記憶體元件,則稱之為「XDR DRAM」。  

產品敏感度較高的朋友,也許會聯想到這種記憶體與RDRAM之間,有沒有任何關聯性。在此,特別將這兩種記憶體比較,列表呈現如表1。  

簡言之,這是一個邏輯IC之間接續或記憶體用途的差動式介面。此處所指的邏輯IC,是指如:圖像LSI、網路用LSI或微處理器等等。每一個端子的資料傳送速度約為3.2Gbps到6.4Gbps的境界。由於資料幅度可以延伸到128位元的景深,也就能夠實現51.2MB/sec到 102.4GB/sec。即使只有32位元的資料幅度,也有12.8GB/sec到25.6GB/sec的高水準演出。  

XDR介面八大特性與核心技術  

基於何種技術的突破與運用,可以產生如此震撼的數字呢?首先將該介面的特徵,彙集成底下八條短文來敘述之。  

.特徵1 : 每一個端子的資料傳送速度約3.2Gbps到6.4Gbps。與當代的高速串列匯流排相比,絲毫不遜色。況且,資料幅度可從8到128位元自由變化。彈性極佳。  

.特徵2 : 對於線路版的跑線,不要求必須有相等的延遲配線規則。因此,系統設計的自由度提高許多。  

.特徵3 : 可以採用一般的BGA封裝方式。即使是IC矽晶片或封裝配線的接合線(Wire-bonding),都可以使用廉價的東西。  

.特徵4 : 可以使用便宜的FR-4四層線路基版,對於阻抗的容許範圍,可到達到正負15%的程度。  

.特徵5 : 可以確保一般泛用的同步式介面同等的潛伏時間與存取性能。這裡所指的泛用的同步式介面,如:同步DRAM的連接介面等。  

.特徵6 : 可以不用掛慮晶片內部的配線延遲,所以工程人員就可以任意配置輸出入電路。換句話說,IC內部回路的佈置(Layout)自由度大幅提高。  

.特徵7 : 由於不需要高速測試器對於全數的時序參數來測定,積體電路的量產負擔,也可以大幅度降低。  

.特徵8 : 可將介面回路的電壓、時序的動作檢證資料,安裝於機器後,再來測試,進一步提升量產的可靠度與良率。  

而上述眾多特徵之所以能夠達成,主要是運用了下列4項核心技術,茲分述如下:  

.技術1:採用小振幅的DRSL(Differential Rambus Signaling Level)方式,採用了點對點(Point-to-Point)的連接型態。  

.技術2:外部時脈的每一個週期,可以傳送8位元的資料,特別以ODR(Octal Data Rate)來命名。箇中的奧祕是以外部400MHz~800MHz的時脈,來倍頻產生內部1.6GHz~3.2GHz的時脈。然後,內部時脈的兩個邊緣 (Edge)來產生3.2Gbps~ 6.4Gbps的資料載送速率。  

.技術3:主控端(Master)與從屬端(Slave)的輸出入電路內藏有終端阻抗。尤其特殊之處,在於安置了從屬端的驅動器回路的輸出電流值與終端阻抗的動態調整機能。  

‧技術4:主控端晶片的各個端子輸出入電路,採納了相位調整的功能,稱之為「FlexPhase」技術,可以針對各個端子進行接收/傳送的時序調整。  

採用點對點連接與DRSL技術 減少失真提高傳送速度  

當信號一舉越過GHz後,將面臨二大課題:其一是晶片封裝或是線路板晶片之間傳送引起的信號衰減,或失真現象更為顯著化。其二,是面臨時間餘裕(Time Margin)短縮的難題。  

為了解決第一個問題,先將連接型態從以往一對多的接續方式,更易成一對一的點對點連接型態。同時,導入了200mV微小信號振幅的DRSL方式圖2,線路的差動特性阻抗也是100歐姆圖3。施展這樣的功夫可比Rambus規格所使用的RSL(Rambus Signal Level)方式,提高5~6倍的資料傳送速度。由於連接負荷的減少,傳送線路的遮斷頻率,也可以提高到數GHz的高準位。同時差動的傳送方式,可以抑制開關雜訊與共模雜訊,微小信號振幅也可以抑制電壓餘裕(Voltage Margin)的短縮,與抑制電磁輻射的增加圖4。  

尤其厲害的是動態方式的電壓振幅之調整構造。更明確地說,是指電壓振幅或轉換率(Slew Rate),不僅在電源投入的初期作業,當機器動作時也能進行調整。如此做的好處是當溫度或電壓等各種條件變化時,依然可以確保得到最高的電壓餘裕。就連輸出入電路內置的終端阻抗也是動態性控制。所謂轉換率(Slew Rate)是泛指表示電壓上升或下降急峻的程度數值。  

所謂ODR圖5是指一個週期來達成8個位元的傳送模式。以外部400MHz~800MHz來獲得3.2Gbps~6.4Gbps的高速傳輸。舉外部時脈 400MHz的場合來說,介面電路內之PLL(Phase-locked Loop)鎖相迴路會在內部產生4倍頻,也就是1.6GHz的內頻。然後再利用時脈的兩個邊緣分別來進行兩個位元的傳送,同樣的思維,外部時脈 800MHz的場合,產生內頻3.2GHz,來達成6.4Gbps的載送能力。  

導入「FlexPhase」技術 打破時間預算界限迷思  

第二個課題之時間餘裕(Time Margin)問題,就必須對時間預算的清單裡的構成要素逐項分析,來探求對策。  

依據圖6的數據可知,不管是採用同步式(Synchronous)還是源同步(Source Synchronous)等既存方式,都必須直接面臨時間餘裕的短縮問題。  

所謂同步式(Synchronous)即是同步DRAM記憶體所採用的技術方式圖7。在匯流排上的全部端子驅動器與接收器回路,往往是用單一的時脈之邊緣來同步作為前提。於此種場合下,驅動器端的資料有效時間、接收器端的保存時間(Setup Hold Time),與時脈或資料信號動等傳送時間的構成要素(Timing Parameter),其絕對值的總和,不得超過時脈週期,此種制約在高速化的輸出入時序會成為瓶頸。隨著時脈週期的短縮,各個時序參數也要隨著比例來縮小。  

改良的方式就是Rambus記憶體所採用的源同步(Source Synchronous)方式,不管是從主控端傳送到從屬端,還是從屬端到主控端的傳送方式,皆會採用專屬的時脈信號線,好處是可以達成相等延遲配線的目的。也就是說時脈與資料信號的傳送延遲之差,可以讓輸出入電路來吸收掉。此種技術另一個改良之處就是DLL(Delayed-lock loop)的運用,可以將外部的時脈轉換成低抖動的內部時脈。  

這種源同步(Source Synchronous)方式,對於同一個IC內部的全部輸出入端子,對於時脈邊緣的相位要做到同步。當每一個端子從800Mbps提升到3.2Gbps 的時候,Tcycle也必要短縮四分之一。使用精確度高的DLL,要低減到100ps以下也是不容易,況且,一般的封裝或線路基板要低於100ps也很困難。尤其當端子數目延伸到32~128個的寬幅度介面時,就成為一個深刻惱人的問題。HyperTrans -port或RapidIO等介面,為何每一個時脈信號,其資料幅度的最高值會定在32位元,也就是這個道理。  

Yellowstone為了解決該問題,特別開發出嶄新手法,稱之為「FlexPhase」技術圖9。允許多個時脈週期在任意相位下,進行資料傳送與接收。「FlexPhase」技術是在主控端的各個端子的輸出入電路,加入相位調整回路(相位移)。可以針對送收資料的內部時脈邊緣做控制,其基本法則,相位調整是在電源投入後,進行初始化之際來進行的。意思是說,主控端IC的全部端子會掃描朝向從屬端進行虛設資料(Dummy)的送收,來計測相對於時脈邊緣的相位,而設定傳送與接收最適當之數值。職是之故,我們可以體會出導入「FlexPhase」技術的最大理由,就是要打破過去時間預算(Timing Budget)界限的迷思。  

XDR技術有助於高速記憶體的介面應用  

由於不需要相等延遲配線的需求,對於線路基板的配置或IC晶片設計的自由度,皆可大幅度提升,除了該優點外,對於成本的降低也有所關連。因此,若是將資料幅度拉升到128位元的程度,因而一舉越過每秒100GB的關卡,很適合運用於高速記憶體的介面應用圖10。當然,透過0.13μm製程做成晶片的檢證,實裝於一般的FR-4線路機板上,勢必要檢視其眼狀圖(Eye Diagram)的開口程度,以及時序參數的量測,確保信號品質。至於時序參數(Timing Parameter)的測定,要導入PRBS產生器與PRBS檢視器。PRBS是Pseudo Random Bit Sequence 的簡稱。當考量高速測試設備的昂貴與量產可靠度時,遂導入BIST(Build-in Self-Test)機能。即在同一個IC端子間,構成回返線路,掃描驅動電路與接收電路的相位,求得時序參數,將大幅節省測試費用。  

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