由於攜帶式裝置功能日增,使用者對電池容量的需求也不斷增加,但電池愈大,充電時間也可能愈長,而用戶卻又希望縮短充電時間,或是在相同時間內充入更多電源。為達到嚴格標準,充電電流必須大幅增加,傳統5V USB轉接器因為輸入功率有限,無法滿足快充需求。
業界正在努力提高轉接器功率,例如USB Type-C及其他方式,希望提供日益受到歡迎的USB相容高電壓輸入,系統設計師希望充分運用最新高電壓轉接器的優點,卻也面臨新挑戰,其中包括在最低成本變化之下提升充電效能、打破熱能損耗障礙,而且藉由增加充電電流,降低電池路徑阻抗影響,本文將討論這些挑戰,同時提供可能的設計解決方案。
智慧型手機為增加資料處理能力,必須使用更耗能的處理器,才能在效能方面突破,但處理器功能未必與CPU處理能力成正比,因此需要更大容量的電池,讓裝置能跟得上CPU處理能力。若使用相同的輸入功率與充電系統,若電池容量加倍,充電時間也會加倍,對許多應用而言,人們顯然無法接受。為設計高功率充電系統,輸入功率必須足夠,設計人員運用簡易物理原則(功率=電壓×電流),可選擇增加電流或輸入源電壓,以往系統設計師必須增加5V USB電源的電流,才能符合加速充電需求,例如USB 2.0最大輸出電流為500mA,USB 3.0最高達900mA,而USB專用充電埠(DCP)若使用電池充電BC 1.2標準,最大輸出電流可達1.5A,而目前USB Type-C連接器最高可支援3A輸出電流。
USB功率面臨兩大限制
但這項策略已走至末路,在多項限制下,設計人員無法再增加輸出電流:
在這些限制之下,設計人員如果希望克服充電時的障礙,就得增加輸入電壓。如果希望以90%的效能,為4-AHr電池達到1C充電效率,簡單計算後,可得需要16.8W的功率(3.8V×4A/0.9)。既然轉接器一般額定為2A,代表轉接器輸出電壓必須達到8.4V以上,此概念與公用電力系統相似,藉由高電壓電網,將電力從發電機輸送到終端用戶,同時可達到高功率與低損耗。
可調式高壓轉接器突破USB功率不足瓶頸
為了向後相容傳統5V USB轉接器,新型可調式高電壓轉接器能支援9V/2A或12V/1.5A輸出,剛連接時,轉接器傳輸與傳統USB轉接器相似的5V輸出,系統透過多種途徑與轉接器溝通,提高輸出電壓至7V、9V或12V,並在供應輸出電流時維持高電壓。系統斷電或進入輕負載時,轉接器重設於5V,確保轉接器連接至其他攜帶式設備時,系統能保持安全,依輸入電流脈衝或D+/D-電壓/電流源極,業界曾提出多項系統與轉接器專用交握訊號。此外,USB供電標準希望能增加功率級至100W。
對於傳統5V固定輸出電壓的系統設計而言,可調式高電壓轉接器形成一種挑戰,系統必須監控可調式輸入電壓,以維護安全,例如多數系統使用類比數位轉換器(ADC)監控電壓,但因為多數ADC都是為低電壓應用設計,如5V或3V輸入等,須要增設分壓器,避免ADC運作超過最大額定。此外,ADC輸入與USB連接器相連後,接觸到外在環境,系統設計人員必須格外注意靜電放電(ESD)額定變化。
高效降壓轉換器提升快充性能
高功率轉接器是建置快充的第一步,有了高輸入功率後,系統內的功率損耗增加,也提高攜帶式設備的溫度,攜帶式裝置的外殼溫度通常不該超過攝氏20度,否則終端用戶會感到不適;升溫也會影響電池運作安全,充電環境需低於攝氏60度。為達快速、低溫充電,系統需要轉換輸入功率的高效能方式、控制外殼溫度,同時達到最高充電電流。
圖1為降壓、切換模式充電系統拓撲,金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) Q1為反向閉鎖FET,而BATFET Q4是充電控制FET,在許多應用中,Q1及Q4均內建於充電器晶片,也做為輸入電流感測與充電電流感測元件。MOSFET Q2、Q3、L、C共組為降壓轉換器核心,其中損耗包括傳導與切換損耗,在高輸出電流下,主要為傳導損耗,估算方式為:
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圖1 降壓轉換器充電系統拓撲範例 |
對傳統5V輸入而言,4V輸出的工作週期(D)為80%,故RDS_Q2為主要損耗項目,而在12V等新式高電壓輸入中,4V輸出的工作週期為33%,故RDS_Q3為主要損耗項目,系統成本則與RDS成反比,RDS愈低,電晶體成本愈高,在9V/12V等高電壓輸入條件下,低工作週期轉換器降低RDS_Q3的效能較佳。降壓轉換器除了供應充電電流,也能在應用運作時,提供系統負載功率,圖像眾多的遊戲應用可能需要超高系統功率,為攜帶式裝置溫度最高處,須以熱穩壓迴路搭配高效能降壓轉換器,熱穩壓迴路可降低充電電流,確保IC Junction溫度低於預設門檻,圖2說明充電器結合熱穩壓功能後,如何將IC Junction溫度維持在攝氏80度至120度之間。
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圖2 熱穩壓充電電流對IC Junction溫度的影響 |
鋰離子電池的標準充電方式包括定電流模式與定電壓模式,定電流模式代表電池充電時的最高電流,快速充電時,最好讓定電流模式維持愈久愈好,圖3介紹充電路徑中數項系統元件,包括PCB布線、電池連接器、保護MOSFET、感測電阻等,均影響充電時間。
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圖3 典型充電路徑阻抗範例 |
在高充電電流之下,充電路徑阻抗影響甚鉅,阻抗壓降會迫使充電流程很早就從定電流轉變為定電壓,並延長充電時間,為減少這項影響,系統設計人員必須運用更高品質的元件,如較低的RDSONMOSFET或改良的連接器,因此提高成本。另一方面,系統若彈性提高充電器的充電電壓輸出,可彌補電壓降,這是以充電電流為基礎,同時讓電池終端電壓低於建議上限。若使用這種方式,系統可延長充電時的定電流模式時間,且不需額外成本。圖4說明使用IR補償技巧時,對充電時間的影響,若能補償70mΩ的路徑阻抗,充電時間可縮短17%,從234分鐘降為200分鐘。
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圖4 系統有無補償之充電時間對比 |
隨著電池容量增加,快充成為許多攜帶式應用的必備功能,為此須要提高輸入功率,而建置可調式高電壓轉接器即可達成,為有效運用輸入功率,需要高效能的降壓轉換器,並仔細考量工作週期效應。最後,熱穩壓、電阻補償等其他技巧也很重要,才能發揮高充電電流最大效益,並改善終端用戶充電體驗。
(本文作者皆任職於德州儀器)