半導體的應用越來越廣泛，隨著許多領域陸續電氣化，尤其5G、雲端運算、物聯網、電動車等趨勢，而為了提升效率與擴大應用規模，耐高電壓、更低導通電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起，Infineon長期投入功率元件的開發，自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。
高功率電源的應用主要在AC/DC的部分，英飛凌電源與感測系統事業部大中華區協理陳志星表示，過去主流為800瓦，並演進到1600瓦，最近更提升至2000瓦以上。除了功率的提升之外，近年針對電源供應的設計還有許多要求，因此Infineon也特別重視，可降低BOM成本的高效率設計、高功率密度、保持產品高可靠性、縮短產品上市時程、在競爭中保持創新等。
英飛凌的碳化矽二極體(Diodes)在2001年即推出，再將該材料發展成MOSFET寬能隙半導體產品從2017~2018年正式推出，CoolSiC(SiC MOSFET)和CoolGaN(GaN HEMT)提供高能源效率和密度以及耐熱性能，陳志星提到，其SiC與GaN元件具備低切換損耗以及低導通損耗，可協助客戶縮小電源體積，提高功率密度以及效率。
比較矽、氮化鎵與碳化矽三種材質，陳志星認為，Si相對傳統且成熟，最大的優勢就是產品系列非常齊全、非常多，同時產品性價比也是最高的；而在效率與功率密度部分，GaN的表現相對突出；而SiC則是在易用性與穩定性部分勝出，比如SiC的溫升反應是最低的，所以不同材質的特性可以提供客戶符合不同的需求。
在應用部分，陳志星說，矽功率元件因為發展時間較久，應用領域最廣，從2.5V~1.7kV都涵蓋；SiC則是專注在高壓的應用，650V~3.3kV這個範圍，如太陽能與電動車領域；GaN的部分因為其頻率可以提到很大，所以功率密度是最好的，應用範圍在80~650V間，在效率部分，可以縮小產品尺寸，近年看到熱門應用是手機快充，因為它是攜帶式的，市場接受度很高。
過去幾年半導體供需失衡造成的缺貨時有所聞，所以Infineon對於功率元件的產能布局也相當重視，陳志星解釋，包括Cree與日本昭和電工都簽有正式的供貨合約，另外也與多家材料供應商合作，確保供貨的穩定性。而矽元件已經逐步使用12吋晶圓，並把原先空出來的6/8吋產能，提供SiC與GaN的生產。