第三代半導體又稱寬能隙半導體，在高溫高壓環境性能相較前兩代半導體更加穩定，並以其大功率、低損耗的特性受到業界關注，其中又以碳化矽(SiC)發展腳步最快，在熱度不斷的電動車市場成為矚目新星。在此趨勢下，東元電機(TECO)於台灣國際智慧移動展展示自主研發的SiC高功率直驅電動車用驅動器，初步目標應用為公車、巴士、貨卡、工程機械等載具。
東元電機機電系統暨自動化事業群高飛鳶總經理指出，新推出的SiC驅動器產品採直驅式設計，因此不需要減速機構(齒輪箱)，可以縮小體積並減少成本，因此雖然SiC本身成本較高，新產品的性價比仍具競爭力。
高飛鳶表示，將第三代半導體用於驅動器已不是新鮮事，但在電動車通常用於乘用車，像東元這樣主要針對商用車設計的大功率SiC驅動器並不常見。該款SiC高功率直驅電動車用驅動器，最大輸出功率達360kW，可滿足12公尺電動大客車動力需求，最高爬坡能力20%，極速96kph，體積功率比可增加44%。
雖然今年3月特斯拉(Tesla)減用SiC的聲明讓業界擔心起SiC在電動車產業的未來，不過考慮到第一、第二代半導體的性能極限，產業轉向SiC或GaN的趨勢依舊存在，而相較於技術和成本都有待發展的GaN，SiC能以更穩定的品質滿足高功率和低損失需求，可望繼續成為電動車領域的潛力選項。