恩智浦(NXP)日前宣布，該公司於美國亞利桑那州建造的6吋射頻氮化鎵(RF GaN)晶圓廠已正式啟用。該晶圓廠為專門製造5G RF功率放大器的晶圓廠，可望為5G基地台及工業、航太、國防等領域的先進通訊基礎設施提供相關元件。該晶圓廠現已通過認證並開始小量生產，預計到2020年底時，該晶圓廠將進入產能全開狀態。
恩智浦執行長Kurt Sievers表示，這座晶圓廠的啟用，是NXP的一個重要里程碑。藉由這座位於亞利桑那的廠房與當地的人才，NXP將可更具焦在GaN技術，並帶動下一代5G基礎建設的發展。
隨著5G時代來臨，通訊設備內使用的射頻元件已出現指數成長的趨勢，但應用產品開發商仍希望能維持既有的產品尺寸，並且把功耗壓到最低。基於GaN的功率電晶體(Power Transistor)是滿足這種兩難需求的理想方案，其功率密度及效率皆比目前的主流元件大幅提升。NXP發展GaN技術已經有近20年歷史，其所累積的專業知識，加上對無線通訊產業的了解，讓該公司在5G時代得以居於領先地位。NXP已經對GaN技術進行深度最佳化，藉此改良半導體的電子阱(Electron Trapping)，進而提高元件的效率、增益，並保有最好的線性度。這些特性讓NXP有能力為客戶提供最高品質的GaN元件。
除了扮演生產基地的角色外，這座晶圓廠同時也會是NXP技術創新的重要據點。該廠將有NXP的研發團隊進駐，以便讓研發跟生產團隊可以更緊密地合作。有了這座晶圓廠，NXP的工程師將可以更快速度開發、驗證下一代GaN元件，並讓這些創新獲得妥善保護，進而讓該公司在GaN領域的創新週期更加縮短。