美光科技(Micron)日前宣布首款176層3D NAND快閃記憶體已正式出貨，實現良好的儲存容量和效能，可望大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能。目前該3D NAND已於美光新加坡晶圓廠量產，並透過Crucial消費型SSD產品系列向客戶出貨，預計於2021年推出採用此技術的其他新產品。
美光執行副總裁暨業務長Sumit Sadana表示，新品可望為使用NAND的應用領域帶來新價值，尤其是5G、人工智慧、雲端及智慧邊緣運算等領域的成長。美光的176層NAND是美光第五代3D NAND以及第二代替換閘(Replacement Gate)架構。相較上一代高容量3D NAND，這一代產品的讀取延遲和寫入延遲改善超過35%，大幅提高應用效能；尺寸則採用比競品小30%的晶粒，以滿足需要小尺寸解決方案的客戶需求。
美光表示，基於新一代NAND的SSD，回應時間具有一致性以及可預測性，可符合資料中心SSD的關鍵設計標準。與此同時，這款NAND的ONFI(Open NAND Flash Interface)匯流排頻寬達到1,600MT/s，可加快系統啟動並強化應用效能。以在汽車應用為例，該速度將在引擎啟動後立即為車載系統提供接近即時的回應時間。
此外，該公司表示為簡化韌體研發，新NAND採用一次寫入演算法(One-Pass Program)，簡化整合並加快上市時間，且美光目前也正與開發商合作，以便迅速將新產品整合至應用產品中。透過結合其堆疊式替換閘架構、電荷捕捉儲存以及CuA(CMOS-under-array)技術，美光表示，該公司在晶片邏輯上建造多層次堆疊，使更多記憶體能夠裝入更緊密的空間，並大幅縮小176層NAND的晶粒尺寸。