英飛凌(Infineon)宣布持續擴充旗下碳化矽(SiC)產品系列，推出第五代650伏特(V) thinQ!TM SiC蕭特基二極體(Schottky Barrier Diode)。英飛凌自第三代產品已採用其專屬的擴散焊接製程，現在再結合更小巧的新型設計以及最先進的薄晶圓技術改善散熱特性。
英飛凌(Infineon)宣布持續擴充旗下碳化矽(SiC)產品系列，推出第五代650伏特(V) thinQ!TM SiC蕭特基二極體(Schottky Barrier Diode)。英飛凌自第三代產品已採用其專屬的擴散焊接製程，現在再結合更小巧的新型設計以及最先進的薄晶圓技術改善散熱特性。
英飛凌高電壓功率轉換產品部門主管Jan-Willem Reynaerts表示，英飛凌自2001年首次推出SiC蕭特基二極體之後，持續致力於改善及擴充該產品系列。SiC二極體是一項與眾不同的產品，能夠引領未來的綠能世界。與前代系列相較下，第五代產品進一步提升系統效率和功率密度，更擁有吸引人的性價比。
第五代產品專為高階伺服器和電信開關式電源供應器(SMPS)、PC Silverbox和照明應用、太陽能逆變器和不斷電系統(UPS)所設計。隨著新一代產品推出，這些應用不僅能受益於效率的提升，亦能由降低電磁干擾(EMI)、提升系統可靠性，以及減少冷卻需求所省下的成本與體積中獲益。
英飛凌網址：www.infineon.com