Infineon 英飛凌

英飛凌全新半導體材料可使能源耗損減半

2014-07-09
英飛凌(Infineon)主導之NeuLand研究計畫開發出全新半導體材料,可使電腦、平面電視、伺服器和電信系統的開關式電源供應減少一半的能源耗損,還能讓太陽能逆變器的體積更為精簡,提高其成本效益。
英飛凌(Infineon)主導之NeuLand研究計畫開發出全新半導體材料,可使電腦、平面電視、伺服器和電信系統的開關式電源供應減少一半的能源耗損,還能讓太陽能逆變器的體積更為精簡,提高其成本效益。

能源耗損減半的關鍵在於碳化矽(SiC)和矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)這兩種半導體材料,這些材料的電子特性能夠生產出體積精簡且高效率的功率電子電路。英飛凌目前已將碳化矽材料應用在接面型場效電晶體(JFET)和600~1,700伏特(V)電壓等級的二極體。這些功率半導體主要用於電腦或電視的開關式電源供應及馬達內部,未來也將在太陽能逆變器中扮演重要角色。

在這項計畫中,愛思強(AIXTRON)供應半導體生產設備,SiCrystal負責碳化矽的晶圓製造。英飛凌進行功率半導體裝置的研究及碳化矽和氮化鎵(GaN)製成元件的製造步驟,關於太陽能領域的系統技術專業知識則由艾思瑪(SMA)提供。透過NeuLand計畫,成員得以針對未來極具潛力的碳化矽和氮化鎵技術在整個價值創造鏈中的廣泛應用,擴展各自的專業能力。

英飛凌網址:www.infineon.com

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