英飛凌推出採標準TO無鉛封裝MOSFET

2011-12-22
英飛凌(Infineon)宣布推出採用TO無鉛封裝的汽車電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。
英飛凌(Infineon)宣布推出採用TO無鉛封裝的汽車電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。

英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理 Frank Schwertlein 表示,英飛凌再度成為全球率先推出無鉛封裝的晶片供應商,提供汽車產業客戶因應未來,符合RoHS 且環保的MOSFET,協助客戶開發節能的綠色產品。

新型40伏特(V)OptiMOS T2 MOSFET結合創新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓製程技術,擁有同級產品最佳規格。英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220、TO-262以及TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求,現今擴散焊接粘晶技術僅適用於上述三種英飛凌所提供的封裝形式,OptiMOS T2系列產品的量產已準備就緒。

英飛凌的MOSFET新系列產品超越現行歐盟RoHS對於含鉛銲錫封裝的規範。更嚴格的ELV RoHS標準可能將於2014年施行,屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式。作為首款無鉛封裝MOSFET,英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。

英飛凌網址:www.infineon.com

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