Diodes近日擴展其DIOFET產品系列，加入了兩款新型的雙通道裝置DMS3017SSD和DMS3019SSD。它們把一個經過最佳化的控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和一個專利DIOFET，整合於單一SO8封裝之中，為消費性和工業應用中的負載點轉換器提供高效率解決方案。
Diodes近日擴展其DIOFET產品系列，加入了兩款新型的雙通道裝置DMS3017SSD和DMS3019SSD。它們把一個經過最佳化的控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和一個專利DIOFET，整合於單一SO8封裝之中，為消費性和工業應用中的負載點轉換器提供高效率解決方案。
低側DIOFET裝置把一個功率MOSFET和反向平行(anti-parallel) Schottky二極體，整合於同一晶片內。DIOFET的典型RDS(ON)值較低，能夠確保傳導損耗保持於最低的水平。然而其正向電壓(VSD)卻較同類MOSFET/Schottky解決方案少25%，所以能夠在脈衝寬頻調變(PWM)停滯時間中，透過體二極體把傳導損耗減至最低。此外，包含於 DMS3017SSD和DMS3019SSD內的高側MOSFET，具有較低的閘電荷和快速開關功能，能夠把高側開關損耗減至最低。
通過這些特性，DMS3017SSD和DMS3019SSD可於全負載狀態下，達到94%的負載點轉換效率；同時減少占位面積，並藉由減低與聯合封裝或外部黏著Schottky二極體相關的寄生電感，改善電路設計。
在低於同類型解決方案的操作溫度下，DMS3017SSD和DMS3019SSD同樣可以提供這種效能。這些元件可以在更低的溫度下操作，有助於改善可靠性，因為當MOSFET的接合溫度每降低10度，負載點轉換器的生存期可靠性都會增加一倍。
Diodes網址：www.diodes.com