安森美半導體(ON Semiconductor)，宣布與Hexius半導體合作，以在受歡迎的ONC18 0.18 µm CMOS工藝中使用一些Hexius半導體的類比智慧財產權(IP)。這使安森美半導體能為客戶提供更好的服務，提供驗證過的類比IP，可最終減少設計週期和產品面市時間。由該合作產生的八個初始設計包括各種不同的類比-數位轉換器、數位-類比轉換器、參考電壓和參考電流。視乎需要，這些設計可按規定訂製，以滿足特定的應用需求。
安森美半導體(ON Semiconductor)，宣布與Hexius半導體合作，以在受歡迎的ONC18 0.18 µm CMOS工藝中使用一些Hexius半導體的類比智慧財產權(IP)。這使安森美半導體能為客戶提供更好的服務，提供驗證過的類比IP，可最終減少設計週期和產品面市時間。由該合作產生的八個初始設計包括各種不同的類比-數位轉換器、數位-類比轉換器、參考電壓和參考電流。視乎需要，這些設計可按規定訂製，以滿足特定的應用需求。
安森美半導體客製代工業務部總監Rocke Acree說，隨著系統需要利用由感測器和使用者介面擷取的真實數據，混合訊號ASIC市場持續增長。OEM正尋求整合更高效的專利設計，而不是依靠標準的現成元件，以提高性能水平，節省電路板空間和顯著降低單位成本。透過這次合作，安森美半導體和Hexius半導體提供了所需的合格類比IP，以促進這一個轉變和實現一個混合訊號設計的新時代。
安森美半導體的ONC18工藝奠基於一個0.18微米(µm)的CMOS結構，由於其高電壓能力，特別適用於汽車、工業、軍事和醫療等應用。客戶獲得權限使用支援該工藝的寬廣陣容的合格IP，將受益於已為其特定要求而高度優化的特殊應用積體電路(ASIC)實施，且不需分配過多本身的工程資源在設計項目上。