德州儀器(TI)宣布推出三款最新雙通道輸出閘極驅動器，可提升高密度隔離電源效率與可靠度，進一步擴大金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)驅動器產品陣營。
德州儀器(TI)宣布推出三款最新雙通道輸出閘極驅動器，可提升高密度隔離電源效率與可靠度，進一步擴大金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)驅動器產品陣營。
UCC27210與UCC27211是120伏特(V)啟動高側(High-side)與低側(Low-side)雙通道輸出MOSFET驅動器，提供高達4安培(A)的輸出電流，且可消除驅動器輸入-10伏特直流電(VDC)干擾。這兩款驅動器提供18奈秒(ns)傳遞延遲(Propagation Delay)，支援多重高頻率半橋及全橋電源拓樸。這些特性可為100伏特突波電壓需求的電信、伺服器及工業電源設計提高效率與可靠度。
此外，針對二次側同步整流器MOSFET及絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)電源開關，德州儀器同時推出5安培雙通道低側驅動器。該UCC27524提供低脈衝失真與高效12奈秒傳遞延遲，6奈秒上升時間與1奈秒輸出延遲比對。該驅動器支援4.5～18伏特寬泛運作電壓，可彈性結合兩組輸出高達10安培的應用，如驅動馬達驅動系統等。
德州儀器網址：www.ti.com