聯華電子與智原科技(Faraday)共同發表智原科技於聯電28奈米HPCU製程的可編程12.5Gbit/s SerDes PHY IP方案。此次智原成功推出的SerDes PHY，為聯電28奈米High-K/Metal Gate後閘極技術製程平台中一系列高速I/O解決方案的第一步。
聯華電子與智原科技(Faraday)共同發表智原科技於聯電28奈米HPCU製程的可編程12.5Gbit/s SerDes PHY IP方案。此次智原成功推出的SerDes PHY，為聯電28奈米High-K/Metal Gate後閘極技術製程平台中一系列高速I/O解決方案的第一步。
智原科技營運長林世欽表示，隨著高階製程的演進，系統單晶片(SoC)的整合複雜度不斷地提升，為了支援低功耗的各種高速介面傳輸標準，高速SerDes元件成為影響SoC系統效能的關鍵電路設計技術。28奈米High-K/Metal Gate製程為主流的先進製程技術，聯電28奈米HPCU展現其技術卓越的效能表現。包含此次發表的12.5Gbit/s SerDes，智原有信心能結合聯電28 HPCU製程的優勢，為客戶帶來更多高性價比的高速I/O解決方案。
藉由採用涵蓋1.25Gbit/s到12.5Gbit/s的可編程架構技術，此SerDes PHY能夠輕易支援10G/1G xPON被動光纖網路通訊設備。結合不同的PCS物裡編碼子層電路，便可以支援SGMII、XAUI、QSGMII、USB3.1、PCIe 3.0、NVM Express、SATA 3等介面標準。透過智原SerDes PHY的高度整合彈性，客戶能夠在28 HPCU平台縮短SoC設計周期，且滿足從商用等級高效能配備到穿戴裝置低功耗的應用需求。
聯華電子網址:www.umc.com
智原科技網址:www.faraday-tech.com