英飛凌(Infineon)推出碳化矽(SiC)射頻功率電晶體的首款氮化鎵(GaN)系列產品。該產品協助行動基地台打造體積更小、功能更強大，且具彈性的發射器，支援蜂巢式網路。此外，由於具備更高的資料傳輸量，強化使用者經驗，為5G技術的轉型鋪路。
英飛凌(Infineon)推出碳化矽(SiC)射頻功率電晶體的首款氮化鎵(GaN)系列產品。該產品協助行動基地台打造體積更小、功能更強大，且具彈性的發射器，支援蜂巢式網路。此外，由於具備更高的資料傳輸量，強化使用者經驗，為5G技術的轉型鋪路。
英飛凌射頻功率電晶體產品線副總裁暨總經理Gerhard Wolf 表示，新產品系列結合了創新與蜂巢式基礎架構需求的應用知識，為全球客戶提供新一代的射頻功率電晶體。它們不僅大幅提高作業效能，並減小行動基地台發射器端的體積。此外，隨著轉換至寬能隙半導體技術，讓我們引領著蜂巢式基礎架構的持續演進。
新射頻功率電晶體運用氮化鎵技術的效能，比現今常見的LDMOS電晶體效率提升百分之十，功率密度更達五倍。意旨今日所使用基地台發射器(操作頻率範圍在1.8至2.2GHz或2.3至2.7GHz)的功率放大器(PA)在同樣的功率需求下只需更小的體積。未來碳化矽基板氮化鎵(GaN on SiC)產品亦將支援頻率範圍高達6GHz的5G行動頻帶。
英飛凌網址:www.infineon.com