富士通半導體(Fujitsu)台灣分公司宣布成功開發全新鐵電隨機存取記憶體(FRAM)產品--MB85RC1MT，擁有1Mb記憶體，是所有富士通半導體I2C序列介面產品中最高記憶體容量的產品，即日起可為客戶提供樣品。MB85RC1MT保證有十兆次寫入/刪除週期，適用於須經常重覆寫入資料之應用，例如工廠自動化、測試儀器及工業設備所需之即時資料登錄應用。現在富士通半導體同時擁有廣泛的I2C與SPI序列介面產品系列，為客戶提供最符合他們要求的非揮發性記憶體產品。
富士通半導體(Fujitsu)台灣分公司宣布成功開發全新鐵電隨機存取記憶體(FRAM)產品--MB85RC1MT，擁有1Mb記憶體，是所有富士通半導體I2C序列介面產品中最高記憶體容量的產品，即日起可為客戶提供樣品。MB85RC1MT保證有十兆次寫入/刪除週期，適用於須經常重覆寫入資料之應用，例如工廠自動化、測試儀器及工業設備所需之即時資料登錄應用。現在富士通半導體同時擁有廣泛的I2C與SPI序列介面產品系列，為客戶提供最符合他們要求的非揮發性記憶體產品。
FRAM是一種兼具非揮發性與隨機存取功能的記憶體，能在沒有電源的情況下可儲存及高速寫入資料。值得注意的是，在眾多非揮發性記憶體技術中，FRAM能保證至少一兆次以上的寫入/刪除週期。
MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度範圍以1.8至3.3伏特工作電壓運作，可支援「高速」操作頻率模式，並可在傳統電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)相同的3.4MHz及1MHz環境進行讀寫資料作業。MB85RC1MT大幅超越傳統EEPROM之寫入/刪除週期次數，並可支援I2C介面及其他介面產品之即時資料登錄等頻繁的重覆寫入資料作業。
富士通半導體網址：http://www.fujitsu.com/cn/fsp/tw/