美光(Micron)與英特爾(Intel)推出採用25奈米(nm)製程技術3-bit-per-cell(3bpc)NAND快閃記憶體，該NAND裝置擁有大容量與小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶，預計在今年底量產。
美光(Micron)與英特爾(Intel)推出採用25奈米(nm)製程技術3-bit-per-cell(3bpc)NAND快閃記憶體，該NAND裝置擁有大容量與小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶，預計在今年底量產。
與通用序列匯流排(USB)、SD(Secure Digital)快閃記憶體卡和消費性電子產品相比，新推出的25nm/64Gb/3bpc記憶裝置的成本更低且容量更大。快閃記憶體主要用於儲存資料、照片或其它多媒體，以供電腦和數位裝置(數位相機、可攜式媒體播放器、數位攝影機和各類型個人電腦)之間的資料擷取和傳輸，而以上這些市場一直承受來自低價與高容量的壓力。
由美光與英特爾雙方合資籌組建的NAND快閃記憶體公司(IM Flash Technologies, IMFT)所開發的這項 64Gb/8Gb 25nm微影技術，可提供每單位3位元的資料容量，而傳統技術只能提供1位元(單層式儲存)或2位元(多層式儲存)。3bpc在業界也被稱為三層式儲存(Triple-level Cell, TLC)。
該裝置較相同容量的美光和英特爾25nm多層式儲存(MLC)尺寸節省至少20%，是目前市面尺寸最小的單一8Gb裝置。從現今電子產品有限的設計空間來看，小尺寸快閃記憶體對消費性終端產品快閃記憶體卡顯得尤其重要。此款產品晶片面積為131平方毫米(mm²)，符合業界標準的薄型小尺寸塑膠(TSOP)封裝。
美光NAND解決方案事業部副總裁Brian Shirley指出，NAND快閃記憶體對消費性電子產品的重要性日益提高，提早轉入25nm TLC對於NAND儲存產品組合的持續擴張實為一大競爭優勢。美光正積極根據包括Lexar Media和美光較大容量終端產品等的設計，打造符合需求的8Gb TLC NAND快閃記憶體產品。
美光網址：www.micron.com