瑞薩電子強化功率半導體事業

瑞薩電子計畫採取以下策略，包括擴大從低電壓至高電壓功率半導體之產品內容，並在2013年3月前開發約一千項新產品、藉由強化瑞薩電子在中國的銷售結構，將銷售額自2010～2012會計年度增加為1.5倍、將8吋晶圓生產線產能自2010～2012會計年度增加一倍。  

透過上述策略，瑞薩電子預期2012會計年度A&P事業的年銷售額將達到2010會計年度的1.2倍，並持續達成兩位數的平均年成長率，目標是成為全球功率半導體之領導供應商。  

瑞薩電子將在2013年3月以前開發約一千項新產品，其中，在低電壓半導體方面包括了低電壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)及基本智慧功率半導體(IPD)；在高電壓半導體方面則包括了高電壓功率MOSFET、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，及雙向矽控整流器(TRIAC)。  

除了繼續維持並進一步擴大低電壓功率MOSFET的全球第一市佔率之外，瑞薩電子亦將運用其先進的製程及封裝技術推出新產品以增加高電壓半導體的銷售額。  

瑞薩電子為強化其銷售結構，將於中國推出全新的部門行銷結構。包括設立四個銷售團隊，分別是家用設備、汽車、工業、及電池管理，A&P事業部門將與瑞薩電子中國分公司當地的企劃、開發部門共同合作，開發中國專屬的產品。  

瑞薩電子將同時強化其前段及後段製程生產線結構，包括將8吋晶圓廠生產線產能自2010～2012會計年度增加一倍，並提升馬來西亞兩座工廠的產能，同時透過中國的轉包商擴大日本以外的生產。  

瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com