愛特梅爾(Atmel)宣布首款能在1.8伏特電壓下運作的8Mb Serial Flash器件AT25DF081，已準備投產。全新AT25DF081具1.65～1.95伏特的低工作電壓範圍，與許多現有和即將面市的採用90奈米製程的ASIC和處理器/控制器相同的工作電壓，允許系統設計人員最終創建出使用單一電源電壓為系統中所有元件供電應用，並可顯著降低成本。不同於那些經篩選在較低電壓下工作而使到性能降低的器件，AT25DF081專門針對1.8伏特電壓而設計，能讓器件保持與3伏特電壓同級產品一樣性能水準。
愛特梅爾(Atmel)宣布首款能在1.8伏特電壓下運作的8Mb Serial Flash器件AT25DF081，已準備投產。全新AT25DF081具1.65～1.95伏特的低工作電壓範圍，與許多現有和即將面市的採用90奈米製程的ASIC和處理器/控制器相同的工作電壓，允許系統設計人員最終創建出使用單一電源電壓為系統中所有元件供電應用，並可顯著降低成本。不同於那些經篩選在較低電壓下工作而使到性能降低的器件，AT25DF081專門針對1.8伏特電壓而設計，能讓器件保持與3伏特電壓同級產品一樣性能水準。
愛特梅爾根據客戶直接及特定需求開發出AT25DF081產品，這些客戶是在電池供電的可攜式消費產品如個人媒體播放機(PMP)和智慧手機(Smartphone)中，使用有關器件來儲存程式碼和資料。AT25DF081解決選擇使用Serial Flash進行可攜設計的主要問題。由於AT25DF081用作啟動和代碼映射快閃記憶體，為使應用的上電啟動時間盡可能縮短，以滿足客戶對瞬間啟動(Instant-on)的期望，從Serial Flash讀取資料的速度至為重要。AT25DF081採用66MHz工作頻率來解決該問題，可在非常短的時間內(130毫秒)完成全部記憶體內容映射。
AT25DF081的樣品現已提供，並可投入批量生產。AT25DF081備有三種不同封裝選項，包括8-lead、150-mil寬的『Narrow-body』SOIC封裝、8 Contact、5毫米×6毫米×0.6毫米Ultra Thin DFN(超薄DFN)封裝，以及0.4毫米Thin 11-ball dBGA(薄型超小型錫球dBGA封裝，WLCSP)。
愛特梅爾網址：www.atmel.com