繼推出EconoDUAL 和 Easy 封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術之後，英飛凌科技(Infineon)近日再推出基於分立式封裝，崩潰電壓為650 V 的TO-247封裝版本。
最新的TRENCHSTOP系列產品組合包含 20 A、30 A、40 A、50 A 和 75 A 等級的額定電流，既可用於取代前代技術，也能與前代技術並行使用。該版本的 IGBT7 尤其適用於工業馬達驅動、功率因數校正、太陽能光電和不斷電系統等應用。
由於採用新型圍溝槽技術，TRENCHSTOP IGBT7 晶片的靜態損耗大幅降低。在相同的電流等級下，TRENCHSTOP IGBT7的導通電壓可降低 10%。這使應用的損耗大幅降低，尤其是通常在中等開關頻率下運作的工業驅動應用等。IGBT T7技術具有非常低的飽和電壓 (VCE(sat))，並與第 7 代射極控制二極體(EC7)共同封裝，正向電壓 (VF)可降低 150 mV，同時還能提高反向恢復柔性。
本裝置具有優異的可控性和卓越的 EMI 效能，能針對應用輕鬆調整，以提供最佳的 dv/dt 和切換耗損的最佳比率。650VTRENCHSTOPIGBT7 能為應用提供所需的抗短路能力。此外，裝置已通過 JEDEC 標準的 HV-H3TRB (高壓、高濕及高溫的反向偏壓) 測試，證明該裝置在常見工業應用的高濕度環境中具有良好的耐用性。
650 VTRENCHSTOPIGBT7分立式裝置即日起接受訂購。詳細資訊請瀏覽 https://www.infineon.com/igbt7。