Transphorm宣布，飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD配接器採用該公司的氮化鎵(GaN)技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術，這是一種氮化鎵場效電晶體(FET)平臺，具有以下優點：系統設計簡單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。
飛宏的65W配接器外形小巧(51x55.3x29mm)，配備兩個USB-C埠和一個USB-A埠(2C1A)，可同時為三台設備充電。這款充電器採用單一650V SuperGaN元件TP65H300G4LSG，與採用準諧振反馳模式(QRF)拓撲結構的矽解決方案相比，功率損失可減少約17%。該配接器還提供65W的USB PD和PPS功能。
TP65H300G4LSG是一款240mΩ、通過JEDEC認證的PQFN88表面黏著元件，具有±18V閘極安全裕度。FET是建立在QRF、主動鉗位反馳模式(ACF)或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。
Transphorm的TP65H300G4LSG具有與矽類似的閾值水準和高閘極擊穿電壓，可與現成控制器(包括含有整合驅動器的控制器)配合使用，無需負偏置電壓。這些功能可簡化電源系統的設計；消除對額外周邊電路的需求、減少元件數量。
根據Facts and Factors近期發表的一份報告，預計到2026年全球交流轉直流配接器市場規模將達到18.54億美元，年複合成長率為12.7%。Transphorm最近也在5月份的報告中指出，其240mΩ元件的發展態勢正在不斷加強，獲得了亞洲大型手機(65W)專案和WW電子零售商(140W)專案的原始設計製造商(ODM)預生產訂單。這些FET可為65W快充配接器應用提供更高的效率，使客戶能夠利用更小的元件實現更強的性能。