Fairchild Semiconductor 快捷半導體

快捷半導體1200V場截止溝道IGBT問世

2013-12-11
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出1200伏特(V)場截止溝道絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列產品。全新的IGBT系列瞄準硬開關工業應用,如太陽能逆變器、無間斷電源及焊機電源,將幫助電源工程師們的設計實現更高的效率及可靠性。
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出1200伏特(V)場截止溝道絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列產品。全新的IGBT系列瞄準硬開關工業應用,如太陽能逆變器、無間斷電源及焊機電源,將幫助電源工程師們的設計實現更高的效率及可靠性。

快捷半導體工業功率系統總監MH Lee表示,快捷半導體的1200V場截止溝道IGBT系列能讓設計師提高設備開關頻率,有利於減小電路中電容器和電感元件的體積、使用更廉價的選擇,從而超越同類競爭解決方案。如此可提高系統設計的功率密度、縮小體積,從而降低了物料成本。

1200V場截止IGBT系列將其VCE(SAT)壓到了1.8 V,遠低於前代的快速開關 NPT IGBT 系列,最大限度地減少了傳導損失。新器件的VCE(SAT)標量在1200V快速開關IGBT的同類市場中,已經躋身最低者之行列。由於EOFF 值不到30µJ/A,故而開關損耗極低,其中還同時封裝了一個二極體,進一步優化快速開關性能。

快捷半導體網址:www.fairchildsemi.com

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