太空應用電源必須在抗輻射技術環境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低太空系統的效能並干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆RDS(on)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)獲得商業航太和國防太空應用認證。
Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、馬達驅動和控制以及通用開關。該款MOSFET元件能承受惡劣的太空環境，增強電源電路可靠性，滿足MIL-PRF19500/746要求。
新元件可以承受達100krad和300krad的總電離劑量(TID)以及達87MeV/mg/cm2的線性能量轉移(LET)的單一事件效應(SEE)。在驗證測試中，元件的晶圓批次耐輻射合格率達100%。
M6 MRH25N12U3屬於Microchip航空、國防和航太技術產品線。這些產品包括可程式邏輯閘陣列(FPGA)、微處理器積體電路(IC)、線性IC、功率元件、分離元件和整合SiC和Si電源解決方案的電源模組。搭配微控制器(MCU)和類比產品，Microchip能夠滿足大功率系統控制、閘極驅動器和功率級的需求，為全球開發者提供整體系統解決方案。