德州儀器(TI)宣布擴大其低功率氮化鎵(GaN)產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小AC/DC電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI具備整合式閘極驅動器的GaN場效應電晶體(FET)整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率。
TI高電壓電源總經理Kannan Soundarapandian表示，現今的消費者希望電源供應器更小、更輕便且更容易攜帶，同時還可提供快速且具能源效率的充電功能。隨著TI的產品組合擴大，設計人員即可將低功率GaN技術的功率密度優勢導入更多消費者日常的應用中，例如行動電話和筆記型電腦轉接器、TV電源供應裝置，以及USB壁式電源插座等。此外，TI的產品組合亦可因應如電源工具與伺服器輔助電源供應器等工業系統中，日益增加的高效率與精巧設計需求。
具備整合式閘極驅動器的全新GaN FET產品組合，包括LMG3622、LMG3624和LMG3626等，均可提供準確的整合式電流感測功能。此功能可排除對外部分流電阻器的需求，且相較於搭配離散式GaN和矽晶FET使用的傳統電流感測電路，此功能可降低達94%的相關功耗，進而協助設計人員達到最高效率。
TI具備整合式閘極驅動器的GaN FET可加快切換速度，有助於防止轉接器過熱。針對小於75W的AC/DC應用，設計人員可達到94%的系統效率，而針對大於75W的AC/DC應用，設計人員則可達到95%以上的系統效率。新產品可協助設計人員縮減一般67W電源供應器的解決方案尺寸，相較於矽基解決方案，其尺寸可縮減達50%。
此產品組合亦針對AC/DC電源轉換中最常見的拓撲結構最佳化，例如準諧振反馳、非對稱半橋反馳、電感對電感轉換器、圖騰柱功率因數校正與主動鉗位式反馳等。
TI全球自有、區域多元的內部製造營運方式已行之有年，其中包含晶圓廠、組裝與測試工廠，以及遍布全球15個據點的多個凸塊與探針設施。TI投資製造GaN技術已超過10年。
TI規畫至2030年，將擁有90%自有封裝及測試產能，因此未來數十年皆可為客戶提供可靠的產能。現已在TI網站上提供LMG3622和LMG3626，以及LMG3624的預生產數量。