安森美半導體擴充高壓功率方案系列

NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10伏特時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3mΩ及5mΩ的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優化，達致更高電源能效，典型門電荷(在4.5伏特門極-源極電壓(Vgs)時)規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6nC及 12.2nC，確保開關損耗也保持最低。  

安森美半導體這些新的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)典型應用包括用於伺服器、電信網路設施、個人電腦(PC)、筆記型電腦及遊戲機的直流-直流(DC-DC)轉換、負載點(POL)轉換及低端開關操作。  

安森美半導體功率MOSFET業務部副總裁兼總經理Paul Leonard表示，整合蕭特基二極管借助於整合在與初級FET結構相同的裸片中，減小死區時間導電損耗，因而提升能效及改善波形，這些新的元件為客戶提供更寬陣容的產品及方案，解決他們獨特的設計挑戰。  

安森美半導體網址：www.onsemi.com。