英飛凌(Infineon)宣布推出兩款新一代高電壓(HV)與中電壓(MV)CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用40V至700V電壓等級的氮化鎵(GaN)裝置，推動數位化與低碳化進程。這兩項產品系列均由英飛凌位於馬來西亞居林(Kulim)以及奧地利菲拉赫(Villach)據點生產，採用英飛凌內部高效能的8吋晶圓製程製造。藉此，英飛凌擴大了CoolGaN的優勢與產能，在GaN裝置市場中確保了強大的供應能力。而根據Yole Group預測，GaN市場在未來五年內，將以46%的年複合成長率(CAGR)成長。
英飛凌電源與感測系統事業部總裁Adam White表示，繼去年英飛凌收購GaN Systems並以此為基礎，英飛凌再度在CoolGaN產品宣布了新的進展，為客戶帶來全新的效率和性能水準。新一代CoolGaN系列高電壓及中電壓產品不僅體現了英飛凌的產品優勢，更完全採用8吋晶圓製程製造，展現GaN快速擴展至更大晶圓製程的能力。
全新650V G5系列產品的適用範圍涵蓋消費性、資料中心、工業及太陽能應用，是英飛凌新一代GIT型高電壓產品。採用8吋製程的第二項新系列為中電壓G3裝置，包括電壓等級60V、80V、100V和120V的CoolGaN電晶體，以及40V雙向開關(BDS)裝置。中電壓G3產品的目標應用包含馬達驅動、電信、資料中心、太陽能與消費性應用。
CoolGaN 650 V G5預計將於2024年第四季上市，中電壓CoolGaN G3則將於2024年第三季開始供應。目前已開始提供樣品。