SiGe半導體現已推出2GHz無線LAN 功率放大器(PA)模組，全新IEEE802.11bgn器件SE2576L的發射功率為26dBm，是尺寸較小且效率最高的功率放大器，SE2576L針對需要大射頻(RF)發射功率的網路應用，如家庭影院或資料傳輸、企業和戶外網路，以及公共網路熱點，能夠提供完整的覆蓋範圍和更高的鏈路預算，實現更快速、更高效率的資料傳輸。
SiGe半導體現已推出2GHz無線LAN 功率放大器(PA)模組，全新IEEE802.11bgn器件SE2576L的發射功率為26dBm，是尺寸較小且效率最高的功率放大器，SE2576L針對需要大射頻(RF)發射功率的網路應用，如家庭影院或資料傳輸、企業和戶外網路，以及公共網路熱點，能夠提供完整的覆蓋範圍和更高的鏈路預算，實現更快速、更高效率的資料傳輸。
大功率WLAN連接性面對的挑戰是RF PA，當PA在較高RF功率級下工作一段時間後，PA本身的溫度往往會升高。隨著PA溫度的上升，他保持所需RF功率級的能力便會下降，這又促使PA控制迴路提高RF功率，從而導致PA工作溫度進一步上升。PA溫度上升除了會降低RF功率之外，還會降低線性度性能，最終破壞傳輸資料，並在WiFi頻率通道附近產生干擾。
該產品採用矽鍺製程製造，該技術與標準矽製程基本相同，熱導性卻是砷化鎵器件的三倍，該產品整合了輸入匹配電路和外部輸出匹配電路，可以針對5伏特、26dBm的工作條件調節負載線，從而幫助SiGe半導體的客戶簡化設計、加快上市速度，並提高產品良率。
該產品內置有採用溫度補償的對負載不敏感的功率檢測器，動態範圍為20dB，在天線端3:1失配條件下，變化小於1.2dB，該產品綜合了功率檢測器功能和矽鍺技術固有散熱優勢，可在極端溫度下保持穩定的性能，適合需要特別注意自身變熱問題的大功率應用，新型WLAN PA還帶有數位啓動控制功能，並整合了一個參考電壓發生器，其典型功率斜坡上升/下降時間為0.5 μs。
SiGe半導體網址：www.sige.com