Transphorm/偉詮電子推出GaN系統級封裝元件

該參考設計是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓撲USB-C PD適配器控制板。在2023年早些時候，偉詮電子發布了65瓦的適配器控制電路。兩款適配器控制板採用同一個SuperGaN SiP，與競爭方案相比，客戶能夠以更優的成本實現100瓦產品設計，實現規模效益。這也表明，65瓦功率級SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級設計的性能和散熱要求。

Transphorm業務發展及市場行銷高級副總裁Philip Zuk表示，基於氮化鎵的積體電路可以簡化設計，這個想法很棒，但必須「做到整合」，必須是封裝內置有必需的控制器的單一整合元件。這正是偉詮電子和Transphorm的SuperGaN SiP的優勢所在。Transphorm推出的系統級封裝是簡單的常閉型解決方案，無需保護電路、驅動器或外部控制器。除此之外，同一顆SiP還適用於65瓦和100瓦的電源適配器。

偉詮電子市場行銷副總裁Wayne Lo指出，目前，利用氮化鎵材料極具吸引力的諸多性能優勢，電源適配器市場在不斷創新反覆運算，偉詮電子要做的就是確保客戶能夠受益于氮化鎵的這些優勢：不僅在技術上受益，而且能獲得更好、更全面的投資回報(ROI)。一顆SiP，既滿足適配器物理設計要求，同時又適用於整個適配器系列的不同型號，這是偉詮電子、Transphorm以及客戶的多方共贏。新發布的100瓦參考設計方案，證明了偉詮電子的技術在低價位市場同樣具有競爭力。

偉詮電子的通用型100瓦電源適配器驗證板按照USB PD 3.0 + PPS標準設計，用於更快地開發為智慧手機、平板電腦、筆記型電腦和其它智慧設備充電的各種扁平高性能電源適配器。

WT7162RHUG24A專為應用於45至100瓦USB-C PD電源適配器而設計，該元件整合了偉詮電子的WT7162RHSG08准諧振/多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐姆、650 V SuperGaN FET。該SiP IC是24引腳8×8 QFN封裝的表面貼裝元件，可實現92.2%的峰值效率。主要優勢包括更高的功率密度和更好的散熱性能，因此，具有更長期的可靠性，且降低BOM物料成本。