英飛凌(Infineon)針對諧振應用擴充最新一代逆導絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)--內建單片整合RC二極體的全新650V 產品，此舉意謂高效能的 RC-H5 產品系列現在可以運用於更廣泛的應用範圍。全新離散式RC-H5 650V功率半導體是多爐電磁爐及變頻微波爐應用的完美選擇，也適用於所有部份硬式切換半橋拓樸。
英飛凌(Infineon)針對諧振應用擴充最新一代逆導絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)--內建單片整合RC二極體的全新650V 產品，此舉意謂高效能的 RC-H5 產品系列現在可以運用於更廣泛的應用範圍。全新離散式RC-H5 650V功率半導體是多爐電磁爐及變頻微波爐應用的完美選擇，也適用於所有部份硬式切換半橋拓樸。
英飛凌IGBT功率離散式元件行銷協理 Roland Stele 表示，電磁爐在家電應用中擁有巨大的節能潛力。英飛凌推出全新分離式RC-H5 650V產品，擴充家電應用範圍，協助客戶開發出只需較少資源就能達到高度可靠性的系統。
如同所有的RC-H5系列，新推出的的離散式650V功率半導體也比前世代產品擁有更卓越的能源效率。切換損耗進一步降低30%，讓設計人員可以使用高達40kHz 的切換頻率工作。整體而言，全新設計的離散式功率半導體具有更好的能源效率特性，可讓整體系統節省5% 的能源消耗。
英飛凌網址：www.infineon.com