安森美半導體(ON Semiconductor)推出新類別的電荷耦合元件(CCD)圖像感測器技術，為微光成像在工業市場樹立了新的基準。
安森美半導體(ON Semiconductor)推出新類別的電荷耦合元件(CCD)圖像感測器技術，為微光成像在工業市場樹立了新的基準。
安森美半導體圖像傳感器業務部副總裁Chris McNiffe表示，KAE-02150圖像感測器是首款充分利用新的行間轉移EMCCD技術的元件，為業界提供了一款革命性的方案。CCD元件的優異圖像品質及均勻性擴展至極微光條件，使工業市場的客戶能在高難度成像條件下獲得全新的高階性能。這明確展示了安森美半導體獨一無二的能力，能充分利用公司不斷擴增的成像技術，為客戶提供最先進的成像方案。
此新技術結合安森美半導體領先業界的行間轉移(Interline Transfer, IT)、CCD畫素設計及新開發的電子倍增(Electron Multiplication, EM)輸出結構，使圖像感測器方案能夠為極微光成像提供亞電子雜訊性能，並維持CCD級圖像品質和均勻性。KAE-02150是首款採用新技術的圖像感測器，能在日光到星光、高光到背光等差異極大的光照條件下擷取1080p(1920 x 1080)影像，因而大幅拓展單一攝影機成像系統的成像能力。這在極缺乏光照的應用中尤為有利，如監控、防衛/軍事、科學及醫療成像、智慧交通系統。
安森美半導體網址：www.onsemi.com