英飛凌科技(Infineon)擴增旗下CoolMOS技術產品系列，推出600 V CoolMOS P7 和 600 V CoolMOS C7 Gold(G7)系列，能夠以600 V崩潰電壓運作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可讓各種目標應用達到無可比擬的功率密度。
英飛凌科技(Infineon)擴增旗下CoolMOS技術產品系列，推出600 V CoolMOS P7 和 600 V CoolMOS C7 Gold(G7)系列，能夠以600 V崩潰電壓運作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可讓各種目標應用達到無可比擬的功率密度。
新推出的P7 在一體化設計的流程中提供出色的易用性，基準的效率和最佳的性價比，目標應用包括充電器、適配器、照明、電視、PC 電源、太陽能、伺服器、電信及 EV 充電等，可涵蓋100W 至15 kW的功率等級。
600 V CoolMOS P7 產品擁有 37 mΩ 至 600 mΩ 的寬廣通態電阻RDS(on)範圍，提供表面黏著(SMD)或插入型封裝，適合多種應用與功率範圍。此外，超過2 kV(HBM)的卓越ESD耐用性，可保護裝置避免因生產過程中的靜電放電而損壞，進而提升了製造品質。
G7 具有更低的通態電阻RDS(on)、最小的閘極電荷QG、更低的輸出電容儲存電力以及TO無引線封裝提供的4接腳Kelvin源極功能，可將PFC與LLC電路的耗損降到最低，實現0.6%的效能提升，並提高PFC電路的全負載效率。低寄生源電感僅 1 nH，亦有助於提高效率水準。
此產品極適合應用於伺服器、電信、工業與太陽能等需求最高效能與基準功率密度的應用。