比利時微電子研究中心(imec)攜手三井化學共同宣布，為了推動針對極紫外光(EUV)微影應用的奈米碳管(CNT)光刻薄膜技術商業化，雙方正式建立策略夥伴關係。
此次合作，三井化學將把imec根據奈米碳管所研發的創新光罩護膜技術，整合至三井化學的光刻薄膜技術，目標是實現能夠全面投產的規格，預計將在2025~2026年導入高功率的極紫外光(EUV)系統。此次簽約於2023 SEMICON Japan日本國際半導體展期間在東京進行。
此策略夥伴關係旨在共同開發光刻薄膜及極紫外光(EUV)光罩護膜，由imec提供技術諮詢與極紫外光(EUV)曝光機測試，三井化學進行商用生產。這些光罩護膜被設計用來保護光罩在極紫外光(EUV)曝光時免受汙染，不僅具備很高的極紫外光(EUV)穿透率(≧94%)和極低的極紫外光(EUV)反射率，對曝光的影響也能控制到最小，這些都是要讓先進半導體製造達到高良率和高產量所需的關鍵性能。
這些奈米碳管(CNT)光罩護膜甚至還能承受超過1kW等級的極紫外光(EUV)輸出功率，有助於發展新世代(高於600W)的極紫外光源技術。於量產導入極紫外光(EUV)微影技術的廠商對這些性能產生興趣。因此，此次合作的雙方將攜手開發可供商用的奈米碳管(CNT)光罩護膜技術，以滿足市場需求。
imec先進圖形化製程與材料研究計畫的資深副總(SVP)Steven Scheer表示，在協助半導體生態系發展新世代微影技術方面，imec擁有多年經驗。從2015年開始，imec與整個供應鏈的夥伴們建立了合作，為先進的極紫外光(EUV)微影技術開發奈米碳管(CNT)光罩護膜的創新設計。透過與三井化學的合作，imec希望能為新世代極紫外光(EUV)微影技術推動奈米碳管(CNT)光罩護膜的生產。
在此微影技術發展藍圖下，新型光罩薄膜預計於2025~2026年推出，屆時艾司摩爾(ASML)開發的新一代0.33數值孔徑(NA)微影系統也將能支援輸出功率超過600W的曝光源。此開發時程攸關2奈米以下邏輯晶片技術的導入。