是德科技攜手國立中央大學光電科學研究中心，共同合作提高GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率，並加速5G及電動車創新之步伐。
新興寬能隙材料(WBG)的出現，例如氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)等，以其高切換速度、低導通損耗以及更高的耐溫及承受電壓等特性，逐漸導入電源相關之消費性產品、快充、電動車及軌道交通、5G基建、資料中心伺服器等應用。
然而，相比傳統矽基的MOSFET或IGBT，寬能矽材料帶來的種種優勢，也增加其設計及測試難度，比如更為複雜的驅動設計，更快的開關速度帶來的振盪以及電磁相容問題等。同時，如何於更高的頻率執行高精確度及重複性之動態測試，以及實現更接近於真實情況的器件建模和電力電子模擬，都是當前極具挑戰之課題。
國立中央大學光電科學研究中心導入Keysight PD1500A動態功率元件分析/雙脈衝測試平台，成功建置第三代寬能隙半導體研發能量，並提高測試驗證效率。隨著標準化測試開始出現，該測試平台能確定這些關鍵效能參數，如開關及切換特性、動態導通電阻、動態電流及電壓、反向恢復、閘極電荷、輸出特性等。
PD1500A DPT具備多項智慧化功能，例如基於IEC和JEDEC標準的全自動參數提取軟件、迴圈測試、電壓和電流掃描測試以及自動高溫測試等，可讓測試更為快捷便利，幫助推動未來的創新。
國立中央大學光電科學研究中心主任辛裕明教授表示，PD1500A單站式的寬能隙功率半導體動態分析系統，可協助團隊測量元件及材料特性並開發GaN、SiC等寬能隙半導體之創新應用，在動態關鍵特性之量測效率亦大幅提高。此外，本實驗室已經建立8吋晶圓和封裝元件的直流/交流變溫測試平台，可在短時間完成GaN、SiC等寬能隙半導體之完整關鍵特性之量測，以期能同為5G/6G及電動車等生態系做出貢獻。