安森美半導體推出突波保護元件系列

2008-10-15
安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的低電容晶閘管突波保護元件(TSPD)系列,該系列元件專為保護下一代高速電訊設備而設計。新元件傑出地平衡小尺寸及高突波能力,同時維持低電容和低洩漏,是先進電訊產品的極佳組合。NP0080、NP0120和NP0160低電容、低洩漏TSPD元件採用節省空間的TSOP-5封裝,保護數位用戶線路(DSL)晶片組和線路驅動器。這些元件在工作電壓範圍內擁有小於3皮法的固有低差分電容,能排除高速數據線路上的訊號失真。NP0xxx TSPD系列提供極佳保護,在發生8×20微秒突波事件時,具有大於50安培的電流承受能力。其通常在連接和用戶端設備(CPE)的DSL隔離變壓器和DSL線路驅動器之間用作第三級保護。  
安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的低電容晶閘管突波保護元件(TSPD)系列,該系列元件專為保護下一代高速電訊設備而設計。新元件傑出地平衡小尺寸及高突波能力,同時維持低電容和低洩漏,是先進電訊產品的極佳組合。NP0080、NP0120和NP0160低電容、低洩漏TSPD元件採用節省空間的TSOP-5封裝,保護數位用戶線路(DSL)晶片組和線路驅動器。這些元件在工作電壓範圍內擁有小於3皮法的固有低差分電容,能排除高速數據線路上的訊號失真。NP0xxx TSPD系列提供極佳保護,在發生8×20微秒突波事件時,具有大於50安培的電流承受能力。其通常在連接和用戶端設備(CPE)的DSL隔離變壓器和DSL線路驅動器之間用作第三級保護。  

安森美半導體新TSPD系列還包括以高成本效益SMB封裝,以及超低電容NP-MC系列。此系列具有低於30皮法的超低電容,用於額定電流100安培的元件,為設計人員在不同高速應用中提供替代氣體放電管(GDT)選擇。由於具超低關斷狀態電容,NP-MC元件為VDS2+和T1/E1電路等高速設備提供最小訊號失真。低額定關斷狀態電容轉化為極低的差分電容,為所應用的電壓或頻率提供極佳線性度。其通常在DSL隔離變壓器的線路端用作次級保護器。  

對於開發網際網路協定數位用戶線路連接複用器(IP-DSLAM)、家庭網路閘道和數據機、網路電話(VoIP),以及其他設備等可靠連接和用戶端設備而言,這些TSPD元件不可或缺,幫助設計人員符合標準,將訊號品質的干擾降至最低。NP0080、NP0120和NP0160採用TSOP-5封裝;NP-MC系列元件則採用SMB封裝供貨。  

安森美半導體網址:www.onsemi.com  

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