英飛凌(Infineon)推出全新OptiMOS FD 200V和250V，讓中電壓產品組合更為完備。最新一代的Power金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)專為本體二極體硬式整流最佳化所設計，不僅提高產品耐用度、降低電壓尖波，還能降低逆向回復損失，進而提高系統可靠度，尤其是在電信系統、工業用電源供應器、D類音頻放大器、馬達控制(48～110V系統)及直流對交流(DC-AC)變頻器之類的硬式切換應用方面。
英飛凌(Infineon)推出全新OptiMOS FD 200V和250V，讓中電壓產品組合更為完備。最新一代的Power金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)專為本體二極體硬式整流最佳化所設計，不僅提高產品耐用度、降低電壓尖波，還能降低逆向回復損失，進而提高系統可靠度，尤其是在電信系統、工業用電源供應器、D類音頻放大器、馬達控制(48～110V系統)及直流對交流(DC-AC)變頻器之類的硬式切換應用方面。
英飛凌DC/DC系統部門資深協理 Richard Kuncic 表示，英飛凌再次將200V和250V電壓等級的水平向上提升，設立新基準正是讓我們持續前進的動力。隨著OptiMOS FD系列的推出，我們將持續提升切換效能。這個最新一代的Power MOSFET將協助客戶省下工程設計上的成本及時間，尤其是在硬式整流等應用方面。
OptiMOS FD 系列擁有最佳化的逆向回復電荷 (Qrr)，符合最高的效能標準OptiMOS FD 200V和250V的Qrr比標準的OptiMOS 200V和250V降低40%，進而可減少電壓尖波，並省下緩震電路，大幅提升系統可靠度。
英飛凌網址：www.infineon.com