新通訊

瑞薩電子SiC蕭特基阻障二極體可降低40%功耗

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky Barrier Diode, SBD)RJS6005TDPP，一般認為碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力。

ST相機閃光燈控制器提高可提高輸出功率

意法半導體(ST)將讓尺寸精巧的數位相機和智慧型手機能夠滿足用戶提高內建閃光燈輸出功率的要求，同時支援更先進的用戶控制功能。

美高森美和TRINAMIC合推雙馬達控制套件

美高森美公司(Microsemi)和TRINAMIC宣布新款馬達控制套件已上市。該套件可協助設計人員降低產品開發成本並加速產品上市時程。這套解決方案包括美高森美的SmartFusion評估套件和TRINAMIC的馬達控制子板(Daughter board)套件。

三菱電機射頻元件程式庫已可搭配安捷倫ADS使用

安捷倫(Agilent)宣布三菱電機(Mitsubishi Electric)最新的非線性砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN)射頻元件模型程式庫，如今已可搭配安捷倫的ADS先進設計系統使用。該升級版程式庫與ADS 2009 Update 1及舊版ADS，能完美搭配在一起運作。ADS 2011和之後的版本，也將獲得支援。

TI高彈性低側柵極驅動器可支援高電源密度

德州儀器(TI)宣布推出一款用於配合高密度電源轉換器中金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)與氮化鎵(GaN)功率場效電晶體(FET)使用的低側柵極驅動器(Low-side Gate Driver)。最新LM5114可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的GaN FET與MOSFET。

恩智浦針對緊湊非調光燈推出LED驅動器IC

恩智浦(NXP)宣布推出針對緊湊非調光、改進型發光二極體(LED)燈所設計的數款新型LED驅動器IC，持續擴大SL2108x系列產品線。

意法半導體(ST)推出符合最新(Secure Digital)SD 3.0標準的電壓位準轉換器(Voltage-level Translator)--ST6G3244。新產品擁有更大的儲存容量和更快的SD 3.0存取速度，加上低靜態功耗和小封裝尺寸，使意法半導體的位準轉換器成為介面應用處理器或數位基頻晶片與SD記憶卡的理想選擇，特別適合用於手機、可攜式媒體播放機、平板電腦、數位相機或個人導航裝置。

安捷倫發表接收器測試用參考時脈乘法器

安捷倫(Agilent)發表參考時脈乘法器。安捷倫N4880A參考時脈乘法器可讓研發與測試工程師，將J-BERT N4903B和ParBERT 81250A碼型產生器的時脈，鎖定在待測系統的參考時脈。

快捷和英飛凌擴大功率MOSFET相容協議

快捷(Fairchild)和英飛凌(Infineon)宣布兩家公司進一步擴展封裝相容合作夥伴關係，延伸協議至快捷的5×6毫米(mm)功率級(Power Stage)非對稱結構雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)封裝。

凌力爾特力推電流模式同步降壓DC-DC控制器

凌力爾特(Linear Technology)發表電流模式同步降壓直流對直流(DC-DC)控制器LTC3866，此元件使用一種包含新直接轉換接收機(DCR)感測架構的非常低DC電阻功率電感來改善電流感測訊號的訊號雜訊比。新DCR感測技術大幅降低了低DCR電阻應用中常見的切換抖動。DCR溫度補償更可在寬廣的溫度範圍內保持恆定和精準的限流門檻。