Diodes推出採用DFN0806-3 微型封裝的小訊號雙極電晶體。這些元件的面積只有 0.48平方毫米(mm2)，離板厚度僅0.4毫米，面積比採用DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型元件還小20%。
Diodes推出採用DFN0806-3 微型封裝的小訊號雙極電晶體。這些元件的面積只有 0.48平方毫米(mm2)，離板厚度僅0.4毫米，面積比採用DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型元件還小20%。
這些電晶體尺寸小，加上優越的400毫瓦(mW)功耗，有利於智慧型手機和平板電腦等受空間限制的可攜式產品的設計。Diodes破天荒推出兩對採用了DFN0806-3封裝的NPN(MMBT3904FA和BC847BFA)及PNP(MMBT3906FA和BC857BFA)電晶體，隨後將推出以同樣技術封裝的預偏壓電晶體。
NPN MMBT3904FA及PNP MMBT3906FA電晶體的VCE額定值為40V，能夠處理200mA持續電流，支援500mA脈衝峰值電流。NPN BC847BFA 和PNP BC857BFA元件的額定值為45V，並可處理100毫安培(mA)持續電流及200mA脈衝電流。
Diodes網址：www.diodes.com