英飛凌(Infineon)推出新長程演進計畫(LTE)低雜訊放大器(LNA)和四頻LNA模組--BGA7x1N6及BGM7xxxx4L12系列，專為提高智慧型手機資料傳輸率所設計。
英飛凌(Infineon)推出新長程演進計畫(LTE)低雜訊放大器(LNA)和四頻LNA模組--BGA7x1N6及BGM7xxxx4L12系列，專為提高智慧型手機資料傳輸率所設計。
由於射頻前端的複雜度提高，因此裝置必須加入更多的射頻元件(如切換器、雙工器和分頻器)，整個系統的損耗和訊號雜訊比(SNR) 的衰退也都會因此提高。此外，天線與射頻收發器之間的距離也會額外增加線路損耗，對 SNR造成負面影響，進而降低資料傳輸率。
英飛凌 BGA7x1N6 及 BGM7xxxx4L12 系列具有低雜訊指數、精確的增益和高線性，能協助智慧型手機設計人員克服這些難題。這些產品採用英飛凌的先進矽鍺(SiGe)晶片技術，並內建ESD防護功能。新推出的LNA和LNA模組同時建置於手機的天線分集和主集路徑，以提高系統的靈敏度，確保使用者獲得最佳的使用體驗。這些裝置比未採用LNA 的解決方案提高多達96%的資料傳輸率，能讓LTE 發揮最大功效。全新系列裝置具有高線性，即使在天線隔離度不佳，及天線與收發器間線路損耗過高的狀況下也能確保擁有優異的收訊。相較於未採用LNA的系統，此系列的一般靈敏度可改善3.4dB。
英飛凌網址：www.infineon.com