MOSFET ADAS DDR

TI推出首款全面整合DDR記憶體電源解決方案

2016-10-19
德州儀器(TI)推出業界首款全面整合的電源管理解決方案,該方案也是首款在汽車和工業應用中,用於雙倍資料速率(DDR)2、DDR3和DDR3L記憶體子系統。TPS54116-Q1直流/直流降壓轉換器是一款輸入電壓為2.95-V至6-V的4-A同步降壓轉換器,配有1-A吸入/輸出DDR終止穩壓器和緩衝參考,與離散化實現相比可將系統尺寸縮小50%。
德州儀器(TI)推出業界首款全面整合的電源管理解決方案,該方案也是首款在汽車和工業應用中,用於雙倍資料速率(DDR)2、DDR3和DDR3L記憶體子系統。TPS54116-Q1直流/直流降壓轉換器是一款輸入電壓為2.95-V至6-V的4-A同步降壓轉換器,配有1-A吸入/輸出DDR終止穩壓器和緩衝參考,與離散化實現相比可將系統尺寸縮小50%。

TPS54116-Q1不僅能為電信、測試與測量以及工廠自動化設備的DDR記憶體供電,同時也為車載資訊娛樂系統、先進駕駛輔助系統(ADAS)和儀表板等汽車應用設計使用。與TI WEBENCH線上設計工具一起使用,TPS54116-Q1更可簡化功率轉換並加快電源設計過程。

TPS54116-Q1降壓轉換器為TI業界領先的直流/直流轉換器產品組合的最新成員,不僅可提供最高達2.5兆赫的開關頻率,並能透過整合MOSFET和減小電感器尺寸縮小解決方案尺寸。同時可在中波無線電頻段上設置開關頻率用於噪音敏感應用,並與外部時鐘同步。

下載用於低功率TDA3x系統的汽車電源參考設計,打造基於TI TDA3系統單晶片並採用TPS54116-Q1的高整合、尺寸最佳化的ADAS電源解決方案。

德州儀器網址:www.ti.com.tw

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