創意電子宣布，DDR4 IP已採用台灣積體電路16奈米鰭式場效電晶體(FinFET ,16FF)製程技術並成功地通過晶片驗證，成為創意電子第一個採用台積電16FF製程技術的IP。
創意電子宣布，DDR4 IP已採用台灣積體電路16奈米鰭式場效電晶體(FinFET ,16FF)製程技術並成功地通過晶片驗證，成為創意電子第一個採用台積電16FF製程技術的IP。
創意電子總裁賴俊豪表示，此16FF DDR4 IP代表真正設計的突破。這是目前創意電子採用台積電16FF製程技術最快速的IP，也代表先進技術設計人員能夠儘快展開新一代裝置設計工作的絕佳良機。
全新的16FF DDR4 PHY IP運作速度高達每秒3.2Gbit/s，比DDR3 IP提高了50%，而且同一速度時的功耗降低了25%。此IP完全發揮了台積電16FF製程的優勢，外部迴路測試上(External Loopback)達到3.5Gbit/s的高速並且以2.7Gbit/s的高速成功讀寫2.4Gbit/s規格的DDR4 DRAM。
創意電子網址：www.guc-asic.com