Diodes推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。
Diodes推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。
新產品的電路板面積僅0.36×0.36毫米(mm)，比採用DFN1006(SOT883)封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能。這些元件的離板高度只有0.4毫米，非常適合智慧型手錶、健康和健身設備等穿戴式產品，以及智慧型手機與平板電腦等消費性產品。
Diodes首批DFN0606雙極電晶體產品(兩款NPN及兩款PNP元件)能夠處理高達830毫瓦(mW)的功耗。其中40伏特(V)額定值的MMBT3904FZ及MMBT3906FZ可大幅提升功率密度，還提供高達200毫安培(mA)的集極電流；45伏特額定值的BC847BFZ和BC857BFZ的集極電流則為100毫安培，所有元件都會以少於1伏特的底部射極電壓開啟，以確保在極低可攜式電源的情況下完全啟動。
Diodes網址：www.diodes.com