安森美半導體(ON Semiconductor)宣布擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產品系列，推出兩款一流元件「ESD7L5.0D」和「NUP4212」。這些新產品以安森美半導體專有的整合ESD保護平台設計，在提高定位電壓性能同時，還能保持低電容和小巧的Die Size。
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產品系列，推出兩款一流元件「ESD7L5.0D」和「NUP4212」。這些新產品以安森美半導體專有的整合ESD保護平台設計，在提高定位電壓性能同時，還能保持低電容和小巧的Die Size。
ESD7L5.0D採用極小1.2毫米×1.2毫米毫×0.5毫米SOT-723封裝技術，保護擁有線路0.5皮法電容的兩條高速數據線路。將安森美半導體的低電容技術整合至三接腳封裝為設計人員提供以單個元件保護USB2.0端口D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能連接陰極至陰極，保護0.25皮法電容的一條雙向線路，非常適用於保護高頻射頻(RF)天線線路。
NUP4212則採用小巧的1.6毫米×1.6毫米×0.5毫米UDFN-6封裝，保護每條線路0.7 皮法的四條高速數據線路和兩條Vcc電源線路。設計工程師能運用單個整合元件保護兩個USB端口上的D+和D-線路及Vcc線路。
這兩款新元件的主要特點，都來自安森美半導體優異的專有技術。ESD7L5.0D和NUP4212能將15千伏(kV)的輸入ESD波形在數奈秒內鉗位低於7伏特，為當今對ESD敏感的IC提供最高水準保護。此外，安森美半導體矽元件沒有無源技術的磨損問題，就算經過ESD這樣的電壓突波後，還能維持可靠性和性能。
安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權表示，安森美半導體推出針對高速數據應用的超低電容產品，持續擴大其在高性能ESD保護解決方案的地位。在越來越高的數據傳輸率下，新一代可攜式應用裝置必須具有更高的能和更大設計靈活性。安森美半導體在此趨勢下，不斷推出完整的低電容ESD保護解決方案系列。
安森美半導體網址：www.onsemi.com