DAH Solar整合型光伏系統採用Transphorm氮化鎵元件

DAH Solar對系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件給予高度評價，認為能夠生產出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統，同時還能以更低的能耗提供更高的總發電量，關鍵在於使用了Transphorm的功率元件。該設計成果鞏固了Transphorm在可再生能源市場的價值主張——目前，氮化鎵在這一應用領域的潛在市場規模(TAM)超過5億美元。該成果也再次證明Transphorm一個核心平台「鎵」馭全功率(One Core GaN Platform, Crossing the Power Spectrum)的技術優勢。

在DAH Solar SolarUnit產品線的設計架構中，包括DC-DC和DC-AC端，均採用了Transphorm的150mΩ和70mΩ氮化鎵場效應電晶體。SolarUnit有三種可選型號，功率輸出分別為800W、920W或1,500W，對應峰值效率分別為97.16%、97.2%和97.55%。與目前常用的矽基解決方案相比，氮化鎵元件能做到更高的開關頻率和功率密度。更值得一提的是，系統中使用的這兩款氮化鎵功率管均採用PQFN88高性能封裝，可與常用柵極驅動器配對，幫助DAH Solar縮短了設計階段。

Transphorm的功率元件適用於極為廣泛的電源應用領域、並滿足各種功率級的功率轉換要求——從45W至10+kW。Transphorm GaN FET產品組合包括650V和900V元件以及開發中的1,200V元件，產品均已通過JEDEC和AEC-Q101標準認證，成為電源適配器、電腦PSU、乃至各種工業UPS以及電動出行系統的優選解決方案。

Transphorm的技術創新再次為整個氮化鎵功率半導體行業樹立新的標杆，同時也説明客戶在不同市場推出全新顛覆性的應用，例如DAH Solar的光伏系統。該成果得益于Transphorm的常關型SuperGaN平台，該平台使用d-mode架構，充分發揮出氮化鎵材料的固有優勢。這種高性能氮化鎵平台的結構設計特性，擁有絕佳的競爭優勢，具有更好的易驅動性、易設計性、可靠性和可製造性。

Transphorm亞洲區銷售副總裁Kenny Yim表示，太陽能逆變器以及其它大功率應用需要高可靠性、高性能的功率半導體，這些功率半導體必須能在嚴酷惡劣的環境中運行數十年。使用Transphorm的SuperGaN技術，有助於降低功率損耗，最大限度地減小設計中其它內建群組件所需承受的熱應力。