英飛凌日前推出首款以12吋薄晶圓技術製造車用功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。首款OptiMOS 5 40伏特(V)產品系列針對減碳排放的應用進行最佳化，由該公司位於奧地利菲拉赫(Villach)的晶圓廠製造。
英飛凌日前推出首款以12吋薄晶圓技術製造車用功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。首款OptiMOS 5 40伏特(V)產品系列針對減碳排放的應用進行最佳化，由該公司位於奧地利菲拉赫(Villach)的晶圓廠製造。
英飛凌汽車電子事業處總裁Jochen Hanebeck 表示，透過以12吋薄晶圓技術製造汽車功率MOSFET，量產高效能的汽車功率MOSFET該公司12吋生產線具有安全供應鏈和長遠的生產藍圖，使得汽車客戶能從中受惠。
據了解，先進的12吋薄晶圓技術是提升新一代汽車功率MOSFET產品效能的關鍵。薄晶圓技術能夠將功率耗損降到最低，更能達成MOSFET的微型設計，提升高系統效率和功率密度，該晶圓的厚度僅60µm(0.06mm)，讓採用該技術的OptiMOS 5功率半導體成為業界最薄的產品。
英飛凌網址：www.infineon.com