Cambridge GaN Devices(CGD)宣布與群光電能以及英國劍橋大學技術服務部(CUTS)簽署了一項三方協議，將共同合作開發基於GaN技術的先進、高效、高功率密度變壓器和資料中心電源產品。此次三方合作將致力於推進一項名為「採用先進GaN解決方案的創新低功率和高功率SMPS(切換模式電源供應器)」的技術專案。
此次合作代表著一個重要的GaN生態系統的誕生，該生態系統將匯聚系統和應用、研究和裝置等各方面的專業知識。這項專案預計將為筆記型電腦提供高效、高密度變壓器的SMPS原型，同時也將提供適用於資料中心和AI伺服器應用的鈦金牌+高效率/高功率密度(>100W/立方英寸)CRPS和OCP機架(3k至6kW)的電源供應裝置。
CGD執行長GIORGIA LONGOBARDI表示，群光電能為全球SMPS製造商之一，因此這份協議代表著CGD為客戶和整個社會提供高效功率裝置技術歷程中一個里程碑。藉由結合CGD的業務和劍橋大學高電壓微電子與感測器(HVMS)小組的優勢，將加速高能量密度電源解決方案在各種廣泛應用中的開發和普及。
群光電能總經理曾國華表示，CGD和HVMS合作在GaN方面擁有豐富的專業知識。CGD已交付了第二代ICeGaN系列產品，該系列在耐用度和易用性方面表現優異。
CGD近期推出了採用ICeGaN技術的第二個650V GaN HEMT系列產品，稱為H2系列。ICeGaN H2系列採用CGD獨特的智慧閘極介面，幾乎消除了一般E-mode GaN元件的各種缺陷，顯著提升了耐壓性能，提供更高的抗雜訊閾值，並增強了dV/dt雜訊抑制和ESD保護效果。新型的650V H2 ICeGaN電晶體與前代裝置相同，可以輕鬆使用市售的工業閘極驅動器來驅動。此外，ICeGaN H2系列的QG比矽基零件低10倍，QOSS則低5倍。這將有助提高切換頻率，減少切換損耗，進而縮小電源供應器的尺寸和重量。