羅姆(ROHM)針對伺服器等工控設備，和AC適配器等消費性電子設備的一次側電源，推出集結了650V GaN HEMT和閘極驅動器等技術的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。
近年來為了實現永續發展社會，對消費性電子和工控設備的電源提出了更高的節能要求。針對上述需求，GaN HEMT因有助提高功率轉換效率和實現元件小型化被寄予厚望。然而與Si MOSFET相比，GaN HEMT的閘極處理較為困難，必須與驅動閘極用的驅動器結合使用。在此市場背景下，ROHM結合了功率和類比兩種核心技術優勢，開發出集結功率半導體(GaN HEMT和類比半導體)閘極驅動器於一體的Power Stage IC。該產品的問世使得被稱為新世代功率半導體的GaN元件能更輕易地被導入。
新產品中匯集了新世代功率元件650V GaN HEMT、能夠大幅發揮GaN HEMT性能的專用閘極驅動器，以及追加功能和周邊元件。另外新產品支援更寬的驅動電壓範圍(2.5V~30V)，具備支援一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET(Super Junction MOSFET, Si MOSFET)。與Si MOSFET相比，元件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現更低損耗和小型化。
新產品已於2023年6月開始量產。新產品及對應的三款評估板(BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003)也已開始透過電商平台銷售。