意法半導體(ST)積極開發與航太應用相關的抗輻射產品組合，推出兩款並聯式電壓基準(Shunt Voltage References)晶片--RHF1009A是一款可在2.5～5.5伏特(V)範圍內調整電壓的電壓基準晶片；而RHF100則是一款維持1.2伏特固定電壓的電壓基準晶片。兩款電壓基準晶片特別為航太應用領域所設計，具有可抵擋強烈太空輻射的高耐受度，其針腳與市面上工業規格的裝置相容。
意法半導體(ST)積極開發與航太應用相關的抗輻射產品組合，推出兩款並聯式電壓基準(Shunt Voltage References)晶片--RHF1009A是一款可在2.5～5.5伏特(V)範圍內調整電壓的電壓基準晶片；而RHF100則是一款維持1.2伏特固定電壓的電壓基準晶片。兩款電壓基準晶片特別為航太應用領域所設計，具有可抵擋強烈太空輻射的高耐受度，其針腳與市面上工業規格的裝置相容。
兩款元件皆採用意法的250奈米(nm)BiCMOS製造技術，具有多項優異性能，包括僅僅5ppm(典型值)的溫度係數、經由雷射校對可達±0.15%的精確度，以及元件之間理想的溫度曲線匹配性；而寬達40微安培(μA)至12毫安培(mA)的負極電流幅度，可確保在維持靈活性的同時提供高精準度和穩定性。
新產品還擁有同等級中最佳的電離總劑量(Total Ionizing Dose, TID)和單一事件效應(Single Event Effect, SEE)的抗輻射性能，無ELDRS的效能高達300krad(當劑量率至高點時，晶片的主要參數仍可保持穩定)，不受單一事件閉鎖效應(Latch-Up)影響(在120MeV.cm2/mg/125°C下仍不見單一事件閉鎖效應)。
此外，元件均已通過了國防後勤局(DLA)的QML-V認證，並正式進入歐洲元件優先選用目錄(European Preferred Parts List, EPPL)，可供歐洲航太硬體及相關設備的製造商選購。
意法半導體網址：www.st.com