意法半導體(ST)推出最新款電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM) 意法半導體網址：www.st.com系列產品。新產品保四百萬次擦寫操作，而競爭產品只提供一百萬次擦寫操作。意法半導體的新產品可支援更高的儲存數據更新頻率，延長系統在高溫條件下的使用壽命，為設計人員帶來了更大的設計自由空間。
意法半導體(ST)推出最新款電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM) 意法半導體網址：www.st.com系列產品。新產品保四百萬次擦寫操作，而競爭產品只提供一百萬次擦寫操作。意法半導體的新產品可支援更高的儲存數據更新頻率，延長系統在高溫條件下的使用壽命，為設計人員帶來了更大的設計自由空間。
EEPROM提高耐寫性能的關鍵技術是意法半導體先進的CMOSF8H 0.15微米(µm)製程。此次推出的新產品包括工業級和汽車級EEPROM，在25°C條件下，耐寫性能為每字節位元四百萬次；在150°C條件下，耐寫性能為每字節位元40萬次。總耐寫性能為10億次，數據保存期限為200年。
進階的耐寫性能和延長的數據保存期限有助於簡化系統設計，可保存需要經常更新的數據以及變化較慢的參數，避免使用為延長標準EEPROM壽命而耗費儲存容量的解決方案。此外，總耐寫性能使其可用於汽車或醫療等因為環境條件變化而須經常更新重要參數的應用。
意法半導體網址：www.st.com