意法半導體(ST)推出新一代高頻功率電晶體，可有效延長如醫學掃描器和電漿產生器(Plasma Generator)等高功率射頻設備的工作時間，並提高應用性能及降低設備成本。
意法半導體(ST)推出新一代高頻功率電晶體，可有效延長如醫學掃描器和電漿產生器(Plasma Generator)等高功率射頻設備的工作時間，並提高應用性能及降低設備成本。
經製程升級後，其最新的射頻(RF)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)電晶體可承受高達200伏特(V)的峰值電壓，較同類競爭産品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率電晶體壽命，從而降低設備的停機時間和經營成本。先進的製程還能提高MOSFET的增益、能效及高功率特性來提高設備性能，並簡化設計。此外，其採用最新的陶瓷封裝和塑膠氣腔封裝技術(STAC)，這兩種封裝可加快裸片散熱過程和提高可靠性，降低設備維護成本。採用意法半導體的強化垂直矽製程和配備供螺栓式(Bolt-down)安裝凸緣(Flanges)的陶瓷封裝是這系列元件的兩大優勢。
STAC4932B和STAC4932F採用了供螺栓式和倒焊(Flangeless)STAC封裝，適合100伏特脈衝/額定功率1000瓦(W)以上的射頻應用，如驅動雷射(Laser Driving)和核磁共振攝影(MRI)。擁有高散熱和高效能的STAC封裝配備散熱基座，可直接焊接散熱器，讓MOSFET電晶體能夠輸出高功率的高頻訊號，大幅提升應用可靠性，延長設備的使用壽命。
意法半導體網址：www.st.com